表面分析では、固体に電子線やX선、이온빔등を照射し、固体とそれ라프로브신号との相互作用により発生する、電子やや 構造 に 関 す る 情報 を 得 る こ と が で き ま す. 固体 表面 か ら 得 ら れ る こ れ ら の 信号 は, 固体 表面 と の 相互作用 の 種類 に よ り, 得 ら れ る 情報 深 さ が 異 な り ま す. そ の た め EAG で ま と め た 各種 表面 分析 手法 とその情報深さの図を用いることで、得られる情報深さを手法別に知ることができmas。
図中では、表面からの深さを便宜的에「表面(図中赤色)」、 「表層(表面より10nm程度:図中黄色)」 「厚膜(表面から100nm程度:図中青色)」、「바르크(固体内部:図中藤色)」とし、各手法別にまとめていmas。
最 表面 の 構造 を 調査 す る 手法 と し て は, 探針 を 試 料 表面 に 近 づ け る 事 で, 固体 表面 と の 原子 間 力 を 測定 す る 事 に よ り 表面 の 原子 配 列 を 調 べ る AFM (원자 힘 현미경) が あ り ま す. ま た,試 料 表面 上 に 付 着 し た 数十 내지 オ ー ダ ー の パ ー テ ィ ク ル を 分析 す る 手法 と し て は, AES 分析 (오제 전자 분광법) が あ り ま す .AES 分析 は 表面 か ら 得 ら れ る 情報 深 さ が, 10nm의 程度 で あ る た め, 数十 내지 레벨노파티크루인가 得られる信号を取られる事が可能이다.同様のケースとし分て、SEM(Scanning Electron Microscope)그리고파티크루합선観察した場、 (Energy Dispersive X-ray Spectrometer) で測定しますが、EDSの情報深さ은 1um程度에 及ぶ ため、 PARTICRULU IND よ って は、基板 から の 情 報 量困難となります。測定파티크루사이즈에 対して、適切な分析手法を選択する事が重要となる例입니다。
さ ら に 図 中 で は, ス パ ッ タ リ ン グ を 併 用 す る 事 で 深 さ 方向 分布 を 得 ら れ る 測定 手法 を 矢 印 で 示 し て い ま す. 二次 イ オ ン 質量 分析 SIMS (이차 이온 질량 분석) は, 試 料 表面 に 照射 す る 一次 イ オ ン の エ ネ ル ギ ーを数100eV로부터 20keV程度まで変えることで、着目する深さの濃度分布を評価する事が可能이다.
分析の情報深さ、分析領域と検出下限の関係がわかる바브르챠트を併用する事で分析手法を選択するちを選択するちときの目安彈