SEM-EDS(走査型電子顕微鏡)

電子顕微鏡法(SEM), 電子顕微鏡法(電子顕微鏡法)電子顕微鏡法(TEM)、 および走査型と組み合わせることができる化学分析法입니다.

SEM 試料の表面形態を 高倍率で観察可能

定量 分析検 出 感 度化学 結合 状態破 壊 測定空間 分解 能 / 빔 径深 さ 分解 能
測長N/A아니비파괴1 nm의N/A

一般的装置概略図

一般的装置概略図

電子線固体の相互作用

인렌즈型FE-SEM

装置概略図

被写界深度 の高い分析

表面構造観察
아리온밀링에よるCuの観察

아리온밀링에よるCuの観察

広い領域での、grain構造の顕在化
아리온밀링니요루바리아層の観察

아리온밀링니요루바리아層の観察

選択 에팅에 よる層層構造の顕在化

微粒子膜の観察例

SEMで見ているもの、見えるもの(1) 二次電子

一般に、光学顕微鏡では見えない小さいものを見ようとした場合、次の手段として最もる良く用いられるのが、ご存知の通

SEMでは、光学顕微鏡よりもかなり高い倍率で観察できるということをくの人がご存知かのがご存知かと思います。今回は、このSEMIDE (今回及び次回)今回及び次回)니分けてご紹介したいと思います。
SEMの基本的な原理としては、真空中で試料に電子線を入射させ、その際に発生した二次電子を検め出することにせ、画と像화見える白黒の CONTRASTHA、そのまま二次電子線の信号の強弱を示すことになります。では、その二次電子線の強度は何で、きま二次電子線
電子にもが同じものを見ている場合、もっとも大きく影響してくるのがその形状 のがその形状になります。二次電子とはその名の通り、入試料に電子線が入射されると、その通り道で次々に二次電子が発生します。しかした生がらこの二次電子は、物質中あ まり長い距 、試料から真空中、そして検出器まで進んでいけません。この二次電子の脱出深さはおむね二数nm에서 なぜ

図1 試料形状と二次電子の発生量

図1 試料形状と二次電子の発生量

斜面の右側で発生した2次電子は、それほど長い距離を移動せずにこに脱出きるため、傾きが大きいほどくの2次脱出できる2次電子は水平な場合よりもささらに少なくなります(外に脱出するまでの実質的な距離が長くなるため)。

こ の よ う に, 二次 電子 は, 試 料 表面 の 形状 に よ り 発 生 量 が 変 わ る た め, 結果 的 に 試 料 表面 の 凹凸 情報 を 反映 し た 像 を 取得 す る こ と が で き ま す. 尚, 二次 電子 は 材料 に よ っ て も 発 生効率은 異なります。ただ、通常は試料形状の方がcontrast에 는 大きく寄与する形となります。

SEMで見ているもの、見えるもの(2) 反射電子

試料に電子線を照射した際、色々な信号が発生します。SEMは、そのうちの二次電子線を観察傂電子照射した際、反射します。 마스。
照射した電子線が試料中の別の電子を叩き出したのが二次電子となります。これに対し、照射した前)が試料表面で反射され電子 と な り ま す. 反射 電子 は 試 料 を 構成 す る 元素 に よ り 発 生 量 が 異 な り, 原子 番号 が 大 き い ほ ど 発 生 量 が 多 く な る 性質 を 持 っ て い る た め, 試 料中 の 組成 分布 を 確認 す る 手法 と し て 良 く 使 わ れ ま す.このCONTRAST(原子番号が大きいほど信号量が大きい) は、TEMのHAADF像:Zcontrastony方ても伔の遦います。反射電子像叡び像ご紹介し마스。

二次電子像と反射電子像の比較

二次電子像(SE) 反射電子상(BSE)
情報深さ (脱出深さ) 試料表面数nm 二次電子よりかなり深い (~100nm~)
전자노에네르기 강도
챠지압 影響を受けやすい 影響を受けにくい
특징 試料表面の表面形状に敏感 試料の組成変化에敏感
기타 表面凹凸の情報も取得可

反射電子像(BSE)と二次電子像(SE)

反射電子像(BSE)と二次電子像(SE)

上記の像は、Al中にZrが凝集した試料を、反射電子像と二次電子像で観察したものです。上の凝集体すが、いcontoこれに対し、下の二次電子像では、Al粒子の表面形状が確認できるのがわかり마스。

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