TEM(透過電子顕微鏡)

透過型電子顕微鏡(TEM)および走査型透過型電子顕微型電子顕微鏡(STEM)は、電子빔を使用 TEM分析およびSTEMの画像解像度は約1〜2Åです. SEM よりも空間分解能が優れていますが、多くの場合、より複雑なsanprul調製が必要입니다。

定量 分析検 出 感 度化学 結合 状態破 壊 測定空間 分解 能 / 빔 径深 さ 分解 能
아니N/A아니예(샘플 준비)1-3Å(템) 6-15Å(스템)N/A

특징

– ナノスケールレベルの分解能で構造・形態観察
– 元素像の高分解能macping
– 格子像観察
– Z콘트라스트상観察

主人応用例

- III-V · GaN으로 系 薄膜 · デ バ イ ス の 断面 構造 観 察 及 び 元素 分析 - 실리콘 系 薄膜 · デ バ イ ス の 断面 構造 観 察 及 び 元素 分析 - そ の 他 各種 固体 材料 の 形態 · 構造 観 察 - 燃料 電池 触媒 の 観 察 - 有機 EL 素 子等、有機評価

TEMの原理(結像MODE)

TEMの原理(結像MODE)

断面TEM観察(W/Poly-Sicontakt)

TEM-EDS와 TEM-EELS의 使い分け

TEM은 EDS와 EELS의 XNUMXつの元素分析手法で元素分析が可能이다.のはEDS에 나리마스.そのため、"そこに何があるのか調べたい" 그렇다고 하는 要望の場合にはまずはEDSでの評価をお薦めします。これ에持 っ て い ま す. さ ら に は 軽 元素 に 強 い と い う 特 徴 を 持 っ て い ま す. そ の た め, あ ら か じ め 測定 し た い 領域 に 存在 す る 元素 が ほ ぼ 分 か っ て お り, そ の 状態 (酸化 の 有無 な ど) を 知 り た い と い う 場合 や, EDS で はエネルギー分解能的에 区別できない元素(例えば、NとTi)を分析する場合などにEELSが有効입니다.

まとめると、測定したい箇所にどのような元素があるか未知の場合は、EDSでまずは測定するのが良いかと思います。追加 の 情報 と し て そ の 状態 を 知 り た い, と い っ た 場合 に 使 わ れ る 形 に な り ま す. 尚, EELS は 感 度 よ く 評 価 で き る 元素 が 限 ら れ て い る の で, 測定 を ご 希望 の 際 は 事前 に EELS 評 価 可能 か ど う かを確認しておく必要があります。そのようなこともあり、一般に故いぜ解析や、界面の急峻性を用調べ

EDS 에네르기분散型X선분광법 EELS 電子線에네르기損失分光法
検出下限 %오다 %오다
空間分解能 2nm前後1nm前後(若干EDSより良い) 1nm前後(若干EDSより良い)
에네르기-分解能 130eV전후 1eV以下
장점 全元素同時分析が可能 比較的重元素に強い 状態分析が可能 比較的軽元素に強い
단점  エネルギーが近接する元素の同定が困難 重元素が苦手 広範囲の元素を同時に分析するのは困難
主用途 故障解析、構造確認  軽元素分析、状態分析

EDS分析

平面TEM: Al膜の그레인사이즈의 観察

TEMとSTEMの違い(使い分けについて

と き ど き お 客 様 に, TEM 줄기 と は ど の よ う に 使 い 分 け る の で す か, と 尋 ね ら れ る こ と が あ り ま す. そ れ で は 実 際 の と こ ろ, 各 々 ど の よ う な 場合 に 用 い る と 良 い の で し ょ う か? そ れ は 両 者 の 特 徴 を 考 え る と 分 か っ て きます。TEMは基本的に回折contrast(散乱contrast)が像に大きく寄与しmas.STEMHA、HAADF像(原子番号)contrast像)が得られる特ラレます。HAADF像은 散乱された電子線で結像すること自体はTEMと似ているわけ입니다 が、TEMのよ うに特定の方向ではなく、 ドナツ型の検と 散乱 し た 電子 を 取 り 込 む こ と が で き ま す. そ の た め 回 折 コ ン ト ラ ス ト の 影響 は か な り 弱 め ら れ 줄기 で は 組成 の コ ン ト ラ ス ト が 強 く な り ま す. こ の こ と か ら 考 え る と, TEM は 試 料 の 結晶 性 に 関 す る 情報 を 主 に 得 た い場合に、STEM은 試料からその組成に関する情報を得たい場合に用いると良いことが分かり마스。

사파이아基板上のGaN膜の観察例

TEM 이미지 HAADF 이미지
図1a:TEM像 図1b:HAADF像 (Zcontrast像)

図 1A で は, 界面 に 存在 す る ひ ず み に よ る コ ン ト ラ ス ト や, 欠 陥 の 様 子 が 良 く 分 か る 一方, 基板 と GaN으로 膜 自 体 で は 明確 に は コ ン ト ラ ス ト の 差 は 認識 で き ま せ ん. 一方 図 1B に お い て は, 図 1A で 見 ら れ た 欠 陥, 基板 界面 の ひ ず み と い っ た 回 折 コ ン ト ラ ス ト に 起因 す る コ ン ト ラ ス ト は ほ と ん ど 見 ら れ て い ま せ ん. そ の 代 わ り, 基板 と GaN으로 膜 そ の も の の と い っ た 組成 の 違 い に よ る コ ン ト ラ ス ト 差 は は っ き り つ い て い る の が 分 か り ま す. こ の こ と か ら も わ か るように、TEMは回折contrast(結晶に起因)に関係する像を見たい場合(例.欠陥評価、電子線回折測定、그레인사이즈) CONTRAST에 関係する像を見たい場合、(例、化合物半導体の積層構造の積層構造の確認など)に用いると有効であることが分かま線、分析 を 行 え る こ と, TEM に 比 べ る と 比較 的 TEM 試 料 厚 さ が 厚 く て も 像 の 確認 が で き る こ と か ら, 故障 解析 な ど で, TEM 試 料 を 少 し 厚 め に し て 作 製 し (内部 に 異常 部 を 挟 み 込 む よ う に)観察するようなケース에 多く利用可能입니다.

TEM 및 STEM 광학

TEMによるMg注入GaN結晶ダ메이지評価

窒化ガ리움(GaN)은파와데바이스의 材料として盛んに研究・開発が進められています。近年、GaN基板を用いた縦型baiお り ま す が, 마그네슘 が 活性 化 し な い な ど の 課題 が あ り ま す. 今 回 基礎 的 な 検 討 と し て 行 っ た, 마그네슘 の イ オ ン 注入 に よ る GaN으로 結晶 の ダ メ ー ジ と 熱処理 後 の 結晶 性 の 変 化 を TEM (透過 型 電子 顕 微鏡) に よ り評価した事例をご紹介価価したします。

窒化ガ리움(GaN)은파와데바이스의 材料として盛んに研究・開発が進められています。近年、GaN基板を用いた縦型baiお り ま す が, 마그네슘 が 活性 化 し な い な ど の 課題 が あ り ま す. 今 回 基礎 的 な 検 討 と し て 行 っ た, 마그네슘 の イ オ ン 注入 に よ る GaN으로 結晶 の ダ メ ー ジ と 熱処理 後 の 結晶 性 の 変 化 を TEM (透過 型 電子 顕 微鏡) に よ り評価した事例をご紹介価価したします。

TEMによるMg注入GaN結晶ダ메이지評価

一方 下 の 観 察 結果 は, 1E14 注入 試 料 の ア ニ ー ル 前後 の も の で あ り, AS-impla 試 料 で は 注入 ダ メ ー ジ が 殆 ど 確認 で き て い な い の に 対 し て, ア ニ ー ル 後 で は, 逆 に 所 々 に 欠 陥 が 顕 在 化 し て い る様子が確認されました。

このようにTEMでは、이온注入前後、ani-ル前後の結晶性の評価を視覚に行うことが可能입니다。

材料 試 験 の た め の 当 社 の サ ー ビ ス に つ い て も っ と 知 り た い で す か?

材料 試 験 の ニ ー ズ に つ い て は 、 今 す ぐ お 問 い 合 わ せ く だ さ い : 03-5396-0531 ま た は 、 以下 の フ ォ ー ム に 記 入 し て 、 EAG の 専 門 家 に ご 連絡 く だ さ い。

특정 기능을 사용하고 사용자 경험을 향상시키기 위해이 사이트는 컴퓨터에 쿠키를 저장합니다. 승인을 제공하고이 메시지를 영구적으로 제거하려면 계속을 클릭하십시오.

더 자세한 정보는 저희의 개인 정보 보호 정책을 읽어보십시오..