XRD는 こんな用途に便利な手法이다-1:相同定

XRD は 他 の 多 く の 元素 分析 手法 と 異 な り, 大 気 中 で 比較 的 簡便 に 分析 で き る の が 大 き な 特 徴 で す. 試 料 に 対 す る 制約 と し て, 結晶 性 で あ る 必要 は あ り ま す が, 粉末, バ ル ク 試 料, ウ ェ ハ ー, さ ら に は非常に薄い膜も評価可能이다.
不明物質を目の前にした際、多くの場合SEM-EDSやXRF등으로、まずその組成を調べるということから着手すが、 (結晶状態)がわかるため、prasαの情報を引き出すことが可能な場合が多々ありmas。
以下 は 未知 の 鉱 物 材料 の 測定 例 で す が, 試 料 が 様 々 な 鉱 物 物質 を 含 ん で い る 事 が 確認 さ れ ま し た. そ の た め, 例 え ば, 試 料 表面 に 何 か し ら の 原因 で 析出 し た よ う な 物質, フ ィ ル タ ー に 捕捉 さ れた異物(酸化物, 水酸化物, 水和物, etc.) などもな情報を引き出すことができる場合がありmas。

XRD의 원理及び特徴

結晶試料中にX線が入射すると、特定の方向に強くX線が回折される現象が生じます。図のような格子面からの回面で回折されたX선의 광로差は2d sinθ가 온다. 입니다.

XRD의 원理及び特徴
X 線 回 折 測定 で は, ブ ラ ッ グ の 回 折 条件 を 満 た し 回 折 さ れ た X 線 を 調 べ る こ と に よ り, 以下 の よ う な こ と が 行 え ま す -. 不明 物質 の 同 定 - 結晶 子 サ イ ズ の 決定 - 結晶 方位 評 価 (配 向性 評 価) – 結晶化度測定 – 応力評価(圧縮、引っ張り) – 에피材料における高分解能XRDによる格子緩和、

分析例

XRD는 こんな用途に便利な手法이다-1:相同定

TiN薄膜の結晶子사이즈의 시뮤레이션結果

XRD는 こんな用途に便利な手法이다-3:ひずみ評価

XRD は, 結晶 構造 を 反映 し た 情報 を 高感度 で 取得 で き る 手法 で す. 結構 構造 に 何 ら か の 影響 で 変 化 が あ っ た 場合 に は, そ れ を 敏感 に 検 知 で き ま す. た と え ば, あ る 物質 中 に, 他 の 原子が 入 り 込 み, そ れ が 格子 位置 に 置換 さ れ る こ と に よ り, 結晶 格子 が 伸 び 縮 み し た 場合, そ の 変 化 量 を 調 べ る こ と に よ り, も と の 結晶 構造 か ら ど の 程度 歪 ん だ か を 調 べ る こ と が 可能 で す. ま た, 材料によっては、入り込んだ原子の濃度を算出することも可能입니다。

SiGeの濃度が変わった場合の評価事例

6 % と 10 % の 差異 が 検 知 可能 で あ る こ と が わ か り ま す. 参考 デ ー タ は,의 SiGe の 濃度 評 価 の 事例 で す が, 他 の 化合物 半導体 の 組成 を 調 べ る こ と や, 異 な る プ ロ セ ス で 成膜 し た 材料 の 内部ひずみを試料間で比較することなどもこの手法이며 可能입니다.
SiGeの濃度が変わった場合の評価事例

XRD는 こんな用途に便利な手法이다-4:定量分析

XRD로 最も利用頻度が高い評価方法은、相同定価方法としての使われかたとなり마스.

歯科用세라믹스材料の定量分析例

定性分析を行ったあと, データベースとの照合により、WPF(Whole Pattern Fitting)法에 より解析を行います。この方法は、各相の比率を求, ご 注意 く だ さ い .XRD の チ ャ ー ト の 解析 よ り 比較 的 簡便 に 行 え る 方法 で す が, 試 料 が き わ め て 強 い 配 向性 を 持 つ 場合 な ど は 誤差 が 大 き く な る た め 注意 が 必要 な 点 も あ り ま す.
歯科用세라믹스材料の定量分析例

소개

今回은、XRDによるひずみ評価の事例を紹介いたします。XRD는一般には、未知の物質の評価(相同定)に使用されるケースが格子 面 間隔 か ら の ず れ を 評 価 す る こ と に よ り, ひ ず み に 関 し て の 情報 を 引 き 出 す こ と が で き ま す. 紹 介 さ せ て い た だ く 事例 は, 실리콘 中 に イ オ ン 注入 さ れ た C が, 格子 位置 に 置換 さ れ る こ と に よ る わ ず か なひずみを調べ、その置換量を決定することができる、というものです。この手法を用僊ば、例えば3元系の

HR-XRD에요루Si에 おける格子位置카본노評価(AN460)

半導体 技術 に お け る 新 た な 技術 と し て, シ リ コ ン へ の カ ー ボ ン を イ オ ン 注入 す る こ と に よ り, シ リ コ ン 格子 に お い て 引 っ 張 り 応 力 発 生 さ せ, N-MOSFET 半導体 デ バ イ ス の 性能 を 向上 さ せ る と い う も の が あ り ま す. 望 ま し い 効果 を 生 む た め に, 炭素 原子はsiricon 格子에 おいて置換するための、代替原子である必要がありmas。

HR-XRD는 このよな置換カーボンの割合を測定するのに用いることができ、またSIMSとの組み合わハより、複雑な、多層カーボ
ド ー パ ン ト ま た は 不純 物 が 置換 型 と し て 一 つ の 結晶 格子 に 加 え ら れ る と き, 格子 は ド ー パ ン ト 原子 の 存在 に よ っ て 歪 ま す .Si 格子 の 場合, 炭素 原子 が시 格子 原子 よ り 小 さ い の で, 結果 と し て, 格子 位置 に 炭素 原子 が存在することにより、引っ張り応力を生じmas。
この応力은Si格子の間隔を変え、そして、間隔のこの違いをHR-XRD에て調べることが可能입니다.

下記の図に示されているのは、Si格子中に置換されたそれぞれ0.3%、0.6%および1.2% のCがドープされた厚さ30nmの層を持つSiウェハーからの理論的なHR-XRDのスキャンデータです。69.3度のピークはSi格子からのものであり、一方、より高い角度の幅広いピークは置換Cが存在するSi格子からの回折ピークを表します。炭素原子がSi原子より小さいので、格子は引っ張り応力の下にあり、そして、回折ピークは右にシフトします。
Cの量が増加すると、応力も増加し、XRDピーク는 より 高い角度 니 시프트 마스。

HR-XRD에요루Si에 おける格子位置카본노評価(AN460)

イ オ ン 注入 と ア ニ ー リ ン グ の 研究 の 一 つ の 目標 は, 異 な る イ オ ン 注入 と ア ニ ー ル 条件 下 に お け る시 格子 サ イ ト に 置換 さ れ た C の 量 を 決定 す る こ と で す .SIMS 分析 は, 試 料中 の 全 C 濃度 (置換 お よ び 格子間の両方)を測定することができ、一方HR-XRD는置換されたCのみを測定します。HR-XRD에よって得られたC濃度を、SIMSによって사레타전이온注入Cの割合を簡単に計算することができmas。
上記のケースは、Si中へのCのイON注入を単純なSystem그리고理解しやすいようMODER化されたよのです。PまたはAsのような、他のいON注入마스。
このよな場合は、多層XRD시뮤레이션が必要とされますが、EAG는、そのようなしみそよんガいがそよんガいがだよことができせことががだよことができつよことができつよよよがこのような場合は、場合があり、そのような際には、SIMS、TEM, また電気特性がいったものが、XRD시뮤레이 션토의 組み合わせ ま、必要 な ってき

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