X선반전率測定法(XRR:X-ray Reflection)이란

基板上の薄膜・多層膜に対して非常に浅い角度で入射させるとX선은 전반전사레마や 界面 で 透過 波 と 反射 波 に 分 か れ, 反射 波 は 干 渉 し ま す. 入射角 度 を 変 え な が ら 測定 を 行 い, 光 路 差 の 変 化 に 伴 う 反射 波 の 干 渉 信号 の 解析 か ら, 薄膜 · 多層 膜 の 膜厚,界面 ラ フ ネ ス を 求 め る こ と が で き ま す. ま た, 全反射 臨界 角 か ら 膜 の 密度 を 求 め る こ と が で き ま す .XRR は 非 破 壊 で 薄膜 や 多層 薄膜 の 各層 の 膜厚, 密度, 界面 ラ フ ネ ス を 求 め る こ と が で き る手法입니다.

X선반전率測定法(XRR:X-ray Reflection)이란

XRR의 特徴

- 超 薄膜 · 多層 薄膜 (0.5nm ~ 400nm의 * 膜 種 に よ り 異 な る) の 絶 対 膜厚 測定 (標準 試 料 不要)) - 金属 膜 の 評 価 も 可能 - 膜 密度 測定 - 表面 お よ び 界面 粗 さ 測定 - 非 破 壊 測定– 300mm웨하까지 測定可能

評価例

– 바리아메탈
– 쿠시드及びmekki層
– 各種金属、시리사이드薄膜
– ゲート絶縁膜(SiON,High-k膜)
– CAPPSI/SiGe膜
– 各種絶縁膜 등

Si基板上のSiGe単層膜の評価

結果 : SiGe膜厚:108.1nm, 密度:3.067g/cm2, 表面粗さ:1.26nm

루薄膜のウエハ面内均一性評価

CuxOy/Cu/Ta/Sio2多層薄膜WEHA面内均一性評価

CuxOy/Cu/Ta/Sio2多層薄膜WEHA面内均一性評価

TiN薄膜の膜厚及び酸素、窒素濃度のWEHAH面内均一性評価(XRR+LEXES)

HfO2/AI203膜の各層膜厚及びHf,AI,濃度のウエハ面内均一性評価(XRR+LEXES)

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