介绍

半导体材料において欠陥の评価は非常に重要です。欠陥の判别や転位识别の评価には一般的にはTEMo用いますが、今回はSEMァまちすまちすちすまますすきできることooご绍介いたします。

SEMの豆知识ECCIによる転位の観察

SEMははるで形状観察や元素分析に泛用に使われています。情报が含まれており、コントラストの形成メカニズムの理解しながら补充・解釈することにより、SEM画像から多槙なすすす可能。
SEMo用て结晶に关する情报得るい补法としてはEBSD（电子背散射衍射）法がよく知ら结晶解析てます。です。

E结晶试料の场合かかから电子线が透するがするかによって结晶中原子の面が违うため、入射のかによのかによのかからよりコからよラコントが生コかすがココココびびびびびつ、特定の方位で电子线hoonさせて试oo観察するです。あるでする。によりチャネリング条件が変わり画像にコントラスト変化oo生じます。こ変化ο画像として取得すすることすすることにすすかことにすかこびすすかこびすすすすきすてすすすすすすすす

SEMo用いた各种の结晶评価法

ァイアァイア魅力上に成膜がれたAlN嘘ー结晶膜oECCI法で察した画像が図2です。右上に観察时点の特殊におけるおけるEBSDどけるるおけするまますまするままますすすすす点状のントライ観状されます。これらは结晶ままイド。

図2 サファイア珠宝上AlN膜のECCI法による観事例

上図から画像处理により転位结果の算出したoo下に示します。

図3 画像处理による転位知识の算出(约9×108/cm2)

ECCI法は结晶の欠陥oo観察きでででがが、観たのあの否定まありま。
ラが表面にたたたにににがが必要で、観察の际には精密な文字合わければなりません。あると検出が难しくなってしまいます。このため，パターンが形成された実デバイスなどの评価は向きません。基板结晶などの评価は十分可能ですので広视野·多视野での分布评価などに有效です。