SEM-EDS (走查型电子顕微镜)

エネルギー分散型X线分光法(EDS)は、走查型电子顕微镜法(SEM)、穿透型电子顕微镜法(TEM)、および走查型透过电子顕微镜法(STEM)の2つのな电子ビームのム技术と组み合わせることができる化学分析法です。

SEM 试料の表面形态 高倍率で観察可能

气象分析検出感度化学结合状态破壊补空间分割能/ビーム径深さ细分能力
测长N / A没有无损1纳米N / A

一般的な装置概略図

一般的な装置概略図

电子线と探测の学习

インレンズ型FE-SEM

概略図

被写界深度の高い分析

表面建设観察
ArイオンミリングによるCuの観察

ArイオンミリングによるCuの観察

広い领域での、グレイン构造の顕在化
Arイオンミリングによるバリア层の観察

Arイオンミリングによるバリア层の観察

选妃エッチングによる层层构造の顕在化

微粒子膜の観察

SEMで见ているもの、见えるもの(1)二次电子

一般に、光学顕微镜では见えない小さいものoo见ようとした查、场合次の手段としても良く用いられるのが、ご知エさいさいさいさまき。

SEMでは,光学顕微镜よりもかなり高い倍率で観察できるということを多くの人がご存知かと思います。今回は,このSEMで実际には何が见えているのか(何をみているのか)をXNUMX回(今回及び次回)に分けてご绍介したいと思います。
SEMの基本的な原理としては、真空中で试料に电子线电子hooさせ、その际に発生した二次二次検出することによりとにより、画像化させにいままままままままままままのまの见える白黒のコントラストは、そのまま二次电子线の信号の强弱の示すことになります。では、その二次电子线の强度はで、きましまはかましは
材料が同じものている场合、もっとも大きく影响してくるのがその形状になります。二次电子とはそのとはそのとはそのとはそのとはそのとはそのとはそのてはすのすすすすしすすすすすすすすすす试料に电子线が透されると、その通り道で次々に电子表面が発生します。しかしながされると、あまりあかはまでめままは二次试料から强度真空中、そして検出器まで进んでいけません。二次の二次电子の脱出深さはおおむね数nmから十数nmでらがかるがかががががかががかがかかまかのがが

図1试料造型と二次电子の発生量

図1试料造型と二次电子の発生量

斜面の右侧で発生した2次电子は,それほど长い距离を移动せずに外に脱出できるため,倾きが大きいほど多くの2次电子が脱出できることになります。ただし,逆に斜面の左侧では,脱出できる2次电子は水平な场合よりもさらに少なくなります(外に脱出するまでの実质的な距离が长くなるため)。

このように、二次电子は、试料表面の形状により発生量が変わるため、二次结果的に试料表面の凹凸情报显示した像获得する尚きがすすききすきすききすきたたき效率は异なります。ただ、は试料形状の方がコントラストには大きく寄与する形となります。

SEMで见ているもの、见えるもの(2)反射电子

SEMは、そのうちの二次电子线o観察するです出が、めううつ、电子反射器ます。
人生电子となります材料。试反射电子は试料oo构成する元素により発生量が异なり、原子番号が大きいほま発生量が大きいほま発生量が大きいほます生量が多くなすエエエエエエエエエすすエエるすエエるこのコントラスト(原子番号が大きいほど信号量が大きい)は、TEMのHAADF像:Zコントラストにとても似ています。反射电子表和び电子二次方の见の见ご绍介します。

二次电子像と反射电子像の比较

二次电子像(SE) 反射电子像(BSE)
情报深さ(脱出深さ) 试料表面数nm 二次电子よりかなり深い(~100nm~)
电子のエネルギー
チャージアップ 易感的 影响受けにくい
特点 试料表面の表面形状に敏感 试料の変化に敏感组成
其他 表面凹凸の情报も取得可

反射电子像(BSE)と二次电子像(SE)

反射电子像(BSE)と二次电子像(SE)

上记の像は、Al中にZrが凝集した试料o、反射电子像と二次电子像で観察したものです。これに対し、下の二次电子像では、Al粒子の表面形状が确认できるのがわかります。

材料试験のための当社のサービスについてもっと知りたいですか?

材料络试験のニーズについては、今すぐお问い合わせください:03-5396-0531 または、门のフォムにあばばあばば家连しさー。

为了启用某些功能并改善您的使用体验,此站点将cookie存储在您的计算机上。 请单击“继续”以提供授权并永久删除此消息。

要了解更多信息,请参阅我们的 私隐政策.