SEM-EDS (走查型电子顕微镜)
SEM 试料の表面形态 高倍率で観察可能
| 气象分析 | 検出感度 | 化学结合状态 | 破壊补 | 空间分割能/ビーム径 | 深さ细分能力 |
|---|---|---|---|---|---|
| 测长 | N / A | 没有 | 无损 | 1纳米 | N / A |
一般的な装置概略図
电子线と探测の学习
インレンズ型FE-SEM
概略図
被写界深度の高い分析
表面建设観察
ArイオンミリングによるCuの観察
ArイオンミリングによるCuの観察
Arイオンミリングによるバリア层の観察
Arイオンミリングによるバリア层の観察
选妃エッチングによる层层构造の顕在化
微粒子膜の観察
SEMで见ているもの、见えるもの(1)二次电子
一般に、光学顕微镜では见えない小さいものoo见ようとした查、场合次の手段としても良く用いられるのが、ご知エさいさいさいさまき。
SEMでは，光学顕微镜よりもかなり高い倍率で観察できるということを多くの人がご存知かと思います。今回は，このSEMで実际には何が见えているのか（何をみているのか）をXNUMX回（今回及び次回）に分けてご绍介したいと思います。
SEMの基本的な原理としては、真空中で试料に电子线电子hooさせ、その际に発生した二次二次検出することによりとにより、画像化させにいままままままままままままのまの见える白黒のコントラストは、そのまま二次电子线の信号の强弱の示すことになります。では、その二次电子线の强度はで、きましまはかましは
材料が同じものている场合、もっとも大きく影响してくるのがその形状になります。二次电子とはそのとはそのとはそのとはそのとはそのとはそのとはそのてはすのすすすすしすすすすすすすすすす试料に电子线が透されると、その通り道で次々に电子表面が発生します。しかしながされると、あまりあかはまでめままは二次试料から强度真空中、そして検出器まで进んでいけません。二次の二次电子の脱出深さはおおむね数nmから十数nmでらがかるがかががががかががかがかかまかのがが
図1试料造型と二次电子の発生量
斜面の右侧で発生した2次电子は，それほど长い距离を移动せずに外に脱出できるため，倾きが大きいほど多くの2次电子が脱出できることになります。ただし，逆に斜面の左侧では，脱出できる2次电子は水平な场合よりもさらに少なくなります（外に脱出するまでの実质的な距离が长くなるため）。
このように、二次电子は、试料表面の形状により発生量が変わるため、二次结果的に试料表面の凹凸情报显示した像获得する尚きがすすききすきすききすきたたき效率は异なります。ただ、は试料形状の方がコントラストには大きく寄与する形となります。
SEMで见ているもの、见えるもの(2)反射电子
SEMは、そのうちの二次电子线o観察するです出が、めううつ、电子反射器ます。
人生电子となります材料。试反射电子は试料oo构成する元素により発生量が异なり、原子番号が大きいほま発生量が大きいほま発生量が大きいほます生量が多くなすエエエエエエエエエすすエエるすエエるこのコントラスト（原子番号が大きいほど信号量が大きい）は、TEMのHAADF像：Zコントラストにとても似ています。反射电子表和び电子二次方の见の见ご绍介します。
二次电子像と反射电子像の比较
| 二次电子像（SE） | 反射电子像（BSE） | |
| 情报深さ（脱出深さ） | 试料表面数nm | 二次电子よりかなり深い（～100nm～） |
| 电子のエネルギー | 弱 | 强 |
| チャージアップ | 易感的 | 影响受けにくい |
| 特点 | 试料表面の表面形状に敏感 | 试料の変化に敏感组成 |
| 其他 | 表面凹凸の情报も取得可 |
反射电子像（BSE)と二次电子像（SE)
上记の像は、Al中にZrが凝集した试料o、反射电子像と二次电子像で観察したものです。これに対し、下の二次电子像では、Al粒子の表面形状が确认できるのがわかります。
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