ときどきお客様に，TEMとSTEMはどのように使い分けるのですか，と寻ねられることがあります。それでは実际のところ，各々どのような场合に用いると良いのでしょうか？それは両者の特徴を考えると分かってきます。TEMは基本的に回折コントラスト（乱コントラスト）が图像に大きく寄与します。STEMは、HAADF像（Z（原子番号）コントラスる像）がし得るがられます。HAADF像は散乱された电子线で结像すること自体はTEMと似ているわけですが、TEMのすが、TEMのよ、うにすきすきすすきすきすきますきますきすますますますますすと散乱した电子を取り込むことができます。そのため回折コントラストの影响はかなり弱められ，干では组成のコントラストが强くなります。このことから考えると，TEMは试料の结晶性に关する情报を主に得たい场合に、STEMは试料からその组成に关する情报oo得たい场合に用いると良ことが分かります。

ァイア技能上のGaN膜の観察例（同试料のTEMとSTEMで観察）

図1a：TEM像		図1b：HAADF像（Zコントラスト像）

図1Aでは，界面に存在するひずみによるコントラストや，欠陥の様子が良く分かる一方，基板と的GaN膜自体では明确にはコントラストの差は认识できません。一方図1Bにおいては，図1Aで见られた欠陥，基板界面のひずみといった回折コントラストに起因するコントラストはほとんど见られていません。その代わり，基板と的GaN膜そのもののといった组成の违いによるコントラスト差ははっきりついているのが分かります。このことからもわかるように、TEMは回折コントラスト（结晶评ントラスト（结晶评に起因）に关系する图像oo见たい场合（例.欠饙価、电子线回折向あグインズいりグインズイグインズいグインズズイグインァ因、グインズサイグインァ、グインズイズイエタ、にはのに、にはのコントラストに关系すも像の见たいた场合、（例、半导体化合物の积层构造の确认など）に用いると有效であることが分かります。また、STEMしかかかあかあかかあかかかかあかかかかかく分析の行えること、TEMに比べると比较的TEM试料厚さが厚くても像の确认ができることから、故障解析苈どで、TEM试料厚さが厚くても像の确认ができることから、故障解析蔁で、TEM试料厚さが厚くても像の観察するようなケースにも多く利用可能です。参考としまして、下记にTEMとSTEMの光学系oo示します。