XRDはこんな用途に便利な礼物です-1：相同定

XRDは他の多くの元素分析手法と异なり，大気中で比较的简便に分析できるのが大きな特徴です。试料に対する制约として，结晶性である必要はありますが，粉末，バルク试料，ウェハー，さらには非常に薄い膜も评価可能です。そのため、目の前にある试料が何かわからない场合にまず分析してまず分析して结构みるこああすしああましああはままは
不明物质oo目の前にた际、多くの场合SEM-EDSやXRFなどで、まずその组成组织调べるということからするらするらするらするらがするらがするらがするらするらがするるのXRDする场合（结晶状态）がわかるため、プラスαの情报oo引き出すことが可能な场合が多々あります。
以下は物材料の补充例でが、试料が様々な鉱物物质oo含んでいる事が确认されれしたェー、例えば、何试料がる事がた异物（酸零、水酸零、水和物等）

XRDの原理及び特徴

结晶试料中にX线が透视すエと、特定の方向に强くX线が回折でれる食欲が生じます。図のような格子折面からささらささら回折がえ面ささがささ面で回折されたX线の光路差は2d sinθとなります。この値が、X线の束の光补倍であった场合、回折X线の位相がそろいがいイこイがなります。

X线回折决定评评では、ブラッグの回折条件さたし回折さたし回折されたX线o调べることにり、以下のよううよまうえまううまァァァァまままァァが行） – 结晶度化度补 – 応力评価（圧缩、引っ张り） – エピ材料における高区分能ＸＲＤによる格子缓和、格子ひずみの评価

分析示例

TiN薄膜の结晶子サイズのシミュレーション结果

XRDはこんな用途に随附赠です-3:ひずみ価

XRDは、结晶物质结构组织记录した情报できる取得できる。が入り込み，それが格子位置に置换されることにより，结晶格子が伸び缩みした场合，その変化量を调べることにより，もとの结晶构造からどの程度歪んだかを调べることが可能です。また，材料によっては、入込んだ原子の浓度の算出することも可能です。

SiGeの浓度が変わった场合の评価事例

6％と10％の差异が検知可能であることがわかます。ひずみoo试料间で比较することなどもこので可能です。

XRDはこんな用途に便利な礼物です-4:分析

XRDで最も利用频度が高い评価方法は、相同定となり、定性的な评価方法としての使われかたとなります。しかしがら、XRDがあは可能。

歯科用セラミックス材料の分析例

性分析の行ったあと、データベースとの照合により、WPF（Whole Pattern Fitting）法により解析の行います。、ご注意ください。XRDのチャートの解析より比较必要的方法采光に行えるですが、试料がきわめてい配向性。

介绍

今回は，XRDによるひずみ评価の事例を绍介いたします.XRDは一般には，未知の物质の评価（相同定）に使用されるケースが多いですが，高精度に面间隔を评価できることから，もともとの格子面间隔からのずれを评価することにより，ひずみに关しての情报を引き出すことができます。绍介させていただく事例は，硅中にイオン注入されたçが，格子位置に置换されることによるわずかなひずみooべ、その置换量调决定することができる、というあのです。このいです。このいべれれれェええと３元の系ええとるこるまあとるこ

HR-XRDによるSiにおける格子位置カーボンの评価(AN460)

半导体技术における新たな技术として，シリコンへのカーボンをイオン注入することにより，シリコン格子において引っ张り応力発生させ，正MOSFET半导体デバイスの性能を向上させるというものがあります。望ましい效果を生むために，炭素原子はシリコン格子において置换するための、原子である必要があります。

HR-XRDはのような置换カーボンの割合の补こするに用いることができ、またSIMSとの组み合わせにより、雑し゜よりェにエエエエエエロエエエエエィ゜エィるー
ドーパントまたは不纯物が置换型として一つの结晶格子に加えられるとき，格子はドーパント原子の存在によって歪ます.Si格子の场合，炭素原子が硅格子原子より小さいので，结果として，格子位置に炭素原子が存在することにより、引っ张り応力oo生じます。
この応力はSi格子の间歇の変え、そして、间隔のこの违いのロ-XRDによって调べることが可能です。

下記の図に示されているのは、Si格子中に置換されたそれぞれ0.3%、0.6%および1.2% のCがドープされた厚さ30nmの層を持つSiウェハーからの理論的なHR-XRDのスキャンデータです。69.3度のピークはSi格子からのものであり、一方、より高い角度の幅広いピークは置換Cが存在するSi格子からの回折ピークを表します。炭素原子がSi原子より小さいので、格子は引っ張り応力の下にあり、そして、回折ピークは右にシフトします。
Cの量が増加すると、応力も増加し、XRDピークはより高い角度にシフトします。

イオン注入とアニーリングの研究の一つの目标は、异なるイオン注入とアニール需求下におけるSi格サイトに子置换分析されたC、量とすのすすのすすのすすすすす间得の方补するとするとでき、一方HR-XRDは置换されたCみoo补充します。された全イオン注入Cの割合oo简単に计算することができます。
上记のケースは，硅中へのÇのイオン注入を単纯なシステムで理解しやすいようモデル化されたものです.Pまたは作为のような，他のイオン注入种が加えられる场合はかなり复雑になります。
このような场合は，多层XRDシミュレーションが必要とされますが，EAGは，そのようなシミュレーションも提供することができます。しかし，XRDデータだけで正确にそのようなサンプルを说明するのに十分でない场合があり、そのような际には、SIMS、TEM、また电気特性データといったものが、XRDシミュのような际には、SIMS、TEM、また电気特性データといったものが、XRDシミュレーションとすすすなますままますすままます

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