FinFET技术进步的材料分析研究:22 nm至7 nm

引言

7 nm FinFET(Fin Field Emission Transistor)工艺技术已于2018年引入半导体制造批量生产,紧随其后的是10年的2016 nm,14年的2014 nm和22年的2012 nm [1]。 尽管工艺节点的命名与芯片上的任何可测量距离均不直接相关,但7 nm工艺技术可提供缩小的晶体管,从而改善了硅面积利用率和功率效率。 在本应用笔记中,我们使用基于TEM(透射电子显微镜)的技术,对22 nm节点和7 nm节点FinFET技术之间的比较进行了材料分析研究。

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