FinFET技术进步的材料分析研究:22 nm至7 nm

引言

7 纳米 FinFET (鳍式场效应晶体管)工艺技术于2018年引入半导体制造量产,继10年2016纳米节点、14年2014纳米节点和22年2012纳米节点之后[1]。 虽然工艺节点的命名与芯片上的任何可测量距离没有直接关系,但 7 纳米工艺技术提供了缩小晶体管,从而提高了硅面积利用率和功率效率。 在本应用说明中,我们使用基于 TEM(透射电子显微镜)技术对 22 纳米节点和 7 纳米节点 FinFET 技术之间的比较进行了材料分析研究。

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