22nm FinFET技术的基于TEM的材料分析研究

引言

鳍式场效应晶体管(FinFET)是现代纳米电子半导体器件制造的基础。 图1示意性地显示了其3D结构设计。 栅极环绕凸起的硅鳍上的沟道,电荷电流在SiGe源极和漏极之间流动。 与传统的平面晶体管相比,FinFET在栅极和沟道之间提供了更大的表面积,因此可以更好地控制电场,并在“截止”状态下降低泄漏[1]。

在本应用笔记中,我们使用Nanolab Technologies的最新TEM仪器和其他基于TEM的分析技术(包括EELS和PED),对22nm FinFET结构的结构,元素分布和晶体取向进行了研究。

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