俄歇电子能谱(AES)服务

技术说明:俄歇电子能谱服务

EAG在世界各地都有许多俄歇仪器。 其中一些仪器具有特殊功能,例如冶金应用的原位断裂阶段,或在洁净室条件下分析200mm和300mm晶片的能力。 我们的一些俄歇系统的FIB(聚焦离子束)功能有助于制备和分析横截面样品。 我们的AES服务经验无与伦比,我们的俄歇科学家平均拥有超过14年的经验。

典型数据

俄歇电子能谱的典型数据

AES溅射曲线提供作为深度函数的成分信息。

原则

俄歇电子光谱技术(以1925描述此过程的Pierre Auger命名)使用初级电子束,通常在3至25 keV范围内。 被电子束激发的原子可以通过俄歇电子的发射而弛豫。 测量发射的俄歇电子的动能,并且是存在于样品表面的元素的特征。 得到的光谱通常被绘制为信号强度与动能的导数,每个元素显示出用于元素识别的独特“指纹”。 电子束可以在大的或小的表面区域上光栅化,或者可以直接聚焦在小的表面特征上。 这种扫描电子束也会产生 二次电子(SEM) 用于定位感兴趣特征的图像。 俄歇地图和线扫描显示了表面上元素的横向分布,而深度剖面可以显示出 组成 作为深度的函数。

常见的应用程序

Auger的高空间分辨率和表面灵敏度使其成为以下类型应用的首选技术:

  • 分析亚μm颗粒 确定污染 来源
  • 识别缺陷 电子设备 去弄清楚 失败 原因
  • 确定电抛光器件的氧化层厚度
  • 芯片上焊盘的小面积深度剖析
  • 褪色或腐蚀区域的元素分布图
  • 薄膜叠层中埋藏缺陷的横截面分析
  • 识别金属裂缝,疲劳和失效中的晶界污染
  • 诚信和统一 薄膜涂层 如类金刚石碳(DLC)

优势

  • 高空间分辨率:最小光斑尺寸小于10nm
  • 表面敏感; 顶部5-10nm
  • 识别除H和He之外的所有元素
  • 2-D和3-D小面积元素分布
  • 快速分析元素组成
  • 最多可以分析300mm晶圆

限制

  • 最小的化学状态信息
  • 绝缘子很难
  • 样品必须与真空兼容
  • 检测限为~0.1%至1%原子

技术比较

其他分析技术提供与AES服务的补充信息,但具有不同的限制,包括 XPS / ESCA(X射线光电子能谱) 以及 EDS(能量色散X射线光谱仪).

XPS是一种表面敏感技术,可从表面顶部5-10nm提供短程化学键合信息。 然而,XPS的最小光束尺寸约为10μm,而AES的最小光束尺寸小于10nm。 XPS的强度是光谱中可获得的化学信息,而AES主要提供具有有限化学信息的元素组成。 绝缘材料,包括有机化合物,是XPS的常规材料,但对于俄歇来说很难。

与AES类似,EDS也使用聚焦电子束生成分析信号,但EDS的采样体积(~0.5μm宽,几微米深)比AES大得多。 较小的AES采样体积优于EDS,可用于分析亚微米颗粒和薄膜。 俄歇过程在EDS X射线发射中较低的原子序数元素中受到青睐,使得AES比EDS更敏感,可用于分析较轻的元素,如B,CN,O和F.

商品描述

俄歇电子能谱(AES)是一种分析技术,用于确定小至~5nm的特征的前几个原子层(~10-25nm深度分析)的元素组成。 该技术广泛用于识别亚微米尺寸的颗粒和缺陷的组成。 俄歇可以检测除H和He之外的所有元素,并提供半定量信息,对于大多数物种,检测限为0.1至1原子百分比。 AES通常用于分析导电和半导电固体,尽管也可以分析一些绝缘材料。 当与离子溅射源结合使用时,AES可以执行小面积组分深度剖析,当与聚焦离子束(FIB)结合使用时,它可用于分析横截面样品。

俄歇图标

为了启用某些功能并改善您的使用体验,此站点将cookie存储在您的计算机上。 请单击“继续”以提供授权并永久删除此消息。

要了解更多信息,请参阅我们的 私隐政策.