应用笔记
讨论
超洁净表面对于成功加工至关重要 半导体器件。 设备故障通常可归因于 表面污染物 如过渡金属和碱金属原子。 为了控制污染物,有必要对其进行识别和量化。 利用两者 TXRF 和 SURFACESIMS。 XP为半导体表面上的表面污染测量提供了最佳的整体解决方案。
TXRF的特点
作为一种测量技术,TXRF以低成本提供高灵敏度的多元素表面污染测量。
SURFACESIMS.XP的特点
SURFACESIMS.XP提供(1)表面污染物的面密度和关于污染物近表面深度分布的(2)信息。 这代表了相对于TXRF,VPD-AAS和VPD-的重要优势ICPMS.
* TXRF无法检测到这些元素,或者无法在实际水平上测量这些元素。 在某些情况下,光谱干扰会阻止低水平检测。
参考文献:
G. Gillen,R.Leaueau,J.Bennett和F.Stevie编辑的二次离子质谱法(SIMS XI)中的SURFACESIMS和TXRF测量硅表面金属污染的相关性(SP Smith,J.Metz和PK Chu) 。
(John Wiley&Sons,Chichester,1998),第233-236页。
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