卢瑟福背散射光谱法(RBS)

卢瑟福背散射光谱法(RBS)是一种用于成分薄膜分析的离子散射技术。 RBS的独特之处在于它允许在不使用参考标准的情况下进行量化。 在RBS分析期间,高能(MeV)He2+ 离子(即α粒子)被引导到样品上,并且反向散射的He的能量分布和产率2+ 测量给定角度的离子。 由于每个元件的后向散射截面是已知的,因此对于小于1μm厚的膜,可以从所获得的RBS光谱获得定量的组成深度分布。

除了元素组成外,RBS还可用于获得有关单晶样品晶体质量的信息。 这项称为“通道化”的技术可以探测晶体的破坏程度,或确定晶格中替代或填隙物种的数量。

EAG在使用RBS分析薄膜方面拥有世界一流的经验,包括pelletron和tandetron仪器。 EAG在分析所有类型的薄膜(氧化物,氮化物,硅化物,高K和低K电介质,金属膜,化合物等)方面的经验 半导体 和掺杂剂)可以实现快速的周转时间,准确的数据和高质量的人与人之间的服务。

RBS教程:仪器

RBS教程:理论

RBS的理想用途

  • 薄膜成分/厚度
  • 确定面积浓度(原子/ cm2)
  • 确定薄膜密度(厚度已知)

我们的强项

  • 非破坏性成分分析
  • 没有标准的定量
  • 导体和绝缘体分析
  • 氢测量(在HFS模式下)
  • 低Z元件灵敏度(在NRA模式下)

限制

  • 分析面积大(〜2 mm)
  • 有用的信息仅限于约1μm的样品

RBS技术规格

  • 检测到信号: 背散射的He原子
  • 检测到的元素: BU
  • 检测限: 0.001-10 at%
  • 深度分辨率: 100-200Å
  • 成像/制图: 没有
  • 横向分辨率/探头尺寸: > = 2毫米

为了启用某些功能并改善您的使用体验,此站点将cookie存储在您的计算机上。 请单击“继续”以提供授权并永久删除此消息。

要了解更多信息,请参阅我们的 私隐政策.