使用二次离子质谱法测定低K材料的深度剖面

应用笔记

讨论

集成电路不断缩小的尺寸带来了新的挑战 材料表征。 使用Cu代替Al用于硅器件中的互连以及使用低K介电材料代替SiO₂ 导致IC速度和性能的显着进步，以及材料加工和集成的复杂性。 SIMS是表征绝缘的最有价值的技术之一， 半导体及 金属材料 并且可以帮助解决流程和集成问题。 然而，低K介电材料引入了新的问题 SIMS深度剖析。 富含H或C的低K材料的独特绝缘性质，化学结构和通常多孔性质使得SIMS分析非常具有挑战性，因为分析本身会降低材料的性能。 Low-K薄膜由多种成分制成，通常没有标准样品可用于SIMS数据定量。 在EAG实验室，我们已经解决了这些问题。

EAG可提供深度剖析表征服务，包括：

• 测量H，C，O和Si深度剖面，对分析中的样品造成的损害最小。
• 改进的杂质分析，例如F，N，Cl和其他金属元素。
• 使用我们独特的参考材料对所有测量物种和基质进行准确定量。