应用笔记
ALD对半导体的污染
XPS深度剖析
合成深度配置文件
光电子发射强度对表面化学的依赖性很小。 强度主要取决于表面浓度。 因此,已知XPS提供非常好的定量 成分测量。 通过用分析循环交替溅射蚀刻表面来完成深度分布。 无论材料如何,结果都是浓度与深度分布,并且具有良好的定量。 然而,在一些材料中,优先溅射一种元素而不是另一种元素可以改变原始组成。
ALD薄膜中的成分的XPS
ALD薄膜中碳和氧的XPS
ALD分析技术
XPS(X射线光电子能谱)
SIMS(二次离子质谱)
SIMS DEPTH PROFILING
跟踪元素深度配置文件
SIMS对周期表中的每个元素(包括H)具有ppm至ppt的检测限。初级离子束溅射蚀刻样品表面,两者都从样品材料中产生离子,可以进行质量分析以确定元素。 溅射蚀刻形成一个能够深度采样的凹坑。 SIMS量化取决于标准。 标准必须在相同的基质材料中具有感兴趣的元素。 量化通常从1 at%到跟踪水平有效。
ALD薄膜中碳和氧的SIMS
ALD胶片中成分的SIMS
SIMS的H,C,O和Fe配置文件
ALD分析中的背景来源
来自H,C,N和O的背景来自仪器真空系统中的残余气体。 气体到达样品表面,粘在表面上的可能性取决于气体,样品材料和表面状况。 新鲜溅射的表面增加了气体粘附的可能性。
XPS背景
在XPS深度剖析中,表面被溅射蚀刻,溅射停止,并且分析循环开始。 在分析循环期间,来自真空的气体有机会积聚在表面上。
SIMS背景
在动态SIMS(TOF除外)中,表面连续溅射,因此背景是残余气体到达速率和样品溅射速率之间的平衡。 样品溅射速率远高于残余气体到达速率,因此动态SIMS背景比XPS低几个数量级。
讨论
深度剖面分析的XPS选择
深度剖面分析的SIMS选择
参考文献:
[1] C. Ozgit-Akgun,E。Goldenberg,A。Kemal Okyay和N. Biyikli,J。Mater。 化学。 C 2(2014)2123。
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