复合半导体光电子学的逆向工程

应用笔记

讨论

当需要从成品和包装设备获取信息时,EAG实验室可以对样品进行拆包和处理,然后完全卸载 特点 它使用各种分析技术。 可获得的信息包括:

  • 样本结构
  • 表面钝化层的存在(和厚度)
  • 有源区厚度
  • 组成 各层的
  • 掺杂剂类型(P或N),浓度和深度分布
  • 在诸如AlGaN或InGaN等的三元层中的组成(摩尔分数)
  • 污染物 类型,级别和深度分布

其他具体问题也可以解决。 进行的精确分析和使用的设备将取决于获得不同类型信息(厚度,成分,掺杂剂水平等)的优先级。 最常用的技术是 SIMS, SEM 以及 TEM.

逆向工程化合物半导体光电子学,抛光后的LED图像,拆包,SIMS分析

 


 

反向工程化合物半导体光电子 - 此示例显示蓝色LED器件的SIMS深度剖面。

此示例显示a的SIMS深度剖面 蓝色LED设备。 SIMS显示出结构类型:AlGaN / {InGaN / GaN}×3 / AlGaN / InGaN / GaN,如从Al和In剖面中看到的。 还成功地测量了掺杂剂(Mg和Si)的分布和浓度。

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