LED分析

LED分析手册标题

EAG提供专为LED表征而开发的广泛分析服务。 我们的分析人员以及专业仪器将随时为您的研发,过程控制,故障分析和施工分析需求提供帮助。

施工分析 - 包装水平

识别和测量包含LED的材料,结构,组成和掺杂剂分布。

 
封装聚合物材料可使用FTIR(傅立叶变换红外光谱)进行评估和识别。 在这种情况下,材料是改性环氧树脂。
 
封装使用RTX(实时X射线)分析,可以非破坏性地评估LED封装和导线连接的结构完整性。
封装剂

可以使用FTIR(傅立叶变换红外光谱法)评估和识别聚合物材料。 在这种情况下,材料是改性环氧树脂。

可以使用RTX(实时X射线)分析非破坏性地评估LED封装和导线连接的结构完整性。

结构可以使用SEM(扫描电子显微镜)成像和EDS(能量分散X射线光谱)分析在横截面中检查包装和支撑结构的材料和布局。
 
LED芯片中和周围的材料识别可以包括磷光体的评估。 在这种情况下,STEM(扫描透射电子显微镜)/ EDS将磷光体鉴定为Gd掺杂的YAG(钇铝石榴石)。 格子成像和d空间测量证实了YAG。
结构

可以使用SEM(扫描电子显微镜)成像和EDS(能量分散X射线光谱)分析在横截面中检查包装和支撑结构的材料和布局。

荧光粉

LED芯片中和周围的材料识别可以包括磷光体的评估。 在这种情况下,STEM(扫描透射电子显微镜)/ EDS将磷光体鉴定为Gd掺杂的YAG(钇铝石榴石)。 格子成像和d空间测量证实了YAG。

 

施工分析 - 模具水平

联系方式

通过俄歇(俄歇电子光谱)深度剖析进行n和p接触评估

p接触的TEM横截面

p接触的TEM横截面

通过俄歇(俄歇电子光谱)深度剖析接触n和p接触评估

 EPI层结构

EPI层结构(LED分析)

QW内的InGaN和GaN的组成可以通过STEM / EDS部分地解决。 超晶格层内的成分无法分辨。

QW内的InGaN和GaN的组成可以通过STEM / EDS部分地解决。 超晶格层内的成分无法分辨。

DOPING PROFILE

SIMS(二次离子质谱)深度剖析分析了GaN / AlGaN / InGaN外延层中的Mg和Si掺杂分布。

SIMS(二次离子质谱)深度剖析分析了GaN / AlGaN / InGaN外延层中的Mg和Si掺杂分布。

 

 故障分析

包装和线材完整性

LED的RTX检查可以显示开路线。

DECAP

LED封装可能难以去除。 EAG开发了解封装的方法,同时保留了电气功能

 热点

通过OBIRCH(光束诱导电阻变化)检查可以揭示缺陷部位。

包装和电线完整性LED的RTX检测可以显示开路电线。
DECAP LED封装可能难以去除。 EAG开发了解封装的方法,同时保留了电气功能
热点OBIRCH检查(光束感应电阻变化)可以揭示缺陷部位。

 

 失败的地点

由OBIRCH识别的缺陷部位的SEM检查显示在泡罩下形成了大的空隙。 然后制备样品并使用双光束FIB(聚焦离子束)成像。

失败现场通过OBIRCH识别的缺陷部位的SEM检查显示在泡罩下形成了大的空隙。 然后制备样品并使用双光束FIB(聚焦离子束)成像。

 进一步的缺陷调查

EAG可以找到并描述许多类型的缺陷。 这些包括:

  • 变色 - 表面的XPS研究,被困气体的GC / MS研究
  • 金属迁移 - FIB横截面和Auger或STEM / EDS的调查
  • 空洞 - FIB横截面和SEM研究
  • 颗粒 - 表面成像或FIB横截面和调查取决于大小和可能的有机物含量
  • 裂缝 - FIB横截面和SEM研究
  • 脱层 - FIB横截面和SEM研究

 找到缺陷

EBIC(电子束感应电流)成像是标准SEM成像的极佳补充。 EBIC可以找到使用标准SEM无法看到的缺陷。 这里EBIC揭示了一个“亮点”缺陷,在标准SEM图像中看不到。

寻找缺陷EBIC(电子束感应电流)成像是标准SEM成像的绝佳补充。 EBIC可以找到使用标准SEM无法看到的缺陷。 这里EBIC揭示了一个“亮点”缺陷,在标准SEM图像中看不到。

 缺陷分析

更接近的缺陷视图显示了EBIC图像中的大小亮点。 使用FIB制备缺陷的横截面。 显示缺陷横截面的TEM图像以与EBIC图像相同的比例对准。 在小亮点下存在凹坑缺陷。

垂直放大TEM横截面图像揭示了量子阱外延层生长的破坏。 当量子阱更靠近ITO层时,EBIC信号更强。

垂直放大TEM横截面图像揭示了量子阱外延层生长的破坏。 当量子阱更靠近ITO层时,EBIC信号更强。

 坑缺陷

上面所示的凹坑缺陷的TEM视图揭示了量子阱中的V形缺陷,导致p-GaN中的凹坑形成,其通过ITO延伸到表面。

上面所示的凹坑缺陷的TEM视图揭示了量子阱中的V形缺陷,导致p-GaN中的凹坑形成,其通过ITO延伸到表面。

 NANOPIPE缺陷

对全TEM横截面的检查还揭示了上面通过EBIC和TEM显示的量子阱破坏下面的纳米管缺陷。

对全TEM横截面的检查还揭示了上面通过EBIC和TEM显示的量子阱破坏下面的纳米管缺陷。

 

 GaN EPI层结构

错位密度

生长的各个阶段的位错密度可以通过TEM表征。 如图所示,在该横截面样品的1,2和3位置制备平面视图样品。

生长的各个阶段的位错密度可以通过TEM表征。 如图所示,在该横截面样品的1,2和3位置制备平面视图样品。

平面视图样品显示靠近QW层的位错(1),GaN生长中间的(2)和蓝宝石衬底旁边的(3)。

平面视图样品显示靠近QW层的位错(1),GaN生长中间的(2)和蓝宝石衬底旁边的(3)。

 快速缺陷打字

可以使用STEM成像确定位错的特征。 通过利用特定的样品倾斜,可以将穿透位错识别为具有螺旋,边缘或混合特征。

可以使用STEM成像确定位错的特征。 通过利用特定的样品倾斜,可以将穿透位错识别为具有螺旋,边缘或混合特征。

 SUPERLATTICE和QUANTUM WELL

像差校正STEM可以提供高分辨率图像和成分测量。

像差校正STEM可以提供高分辨率图像和成分测量。

强调区域的EDS线扫描。

像差校正STEM可以提供高分辨率图像和成分测量。

 

 EPI层分析

DOPING PROFILES

可以通过SIMS对P型和n型掺杂剂进行分析,以测量相对于外延层结构的浓度和分布。

可以通过SIMS对P型和n型掺杂剂进行分析,以测量相对于外延层结构的浓度和分布。

无害的配置文件

污染物也可以通过SIMS进行分析。 这些配置文件可以逐层显示增长问题。 使用专用仪器可以实现“大气元素”(H,C,O)的良好检测限。

使用标准和受控分析程序可以实现准确的量化。

污染物分布图也可以通过SIMS分析污染物。 这些配置文件可以逐层显示增长问题。 使用专用仪器可以实现“大气元素”(H,C,O)的良好检测限。 使用标准和受控分析程序可以实现准确的量化。

GaN中的检测限

使用优化的分析条件和使用专用仪器可以实现SIMS的极低检测限。

GaN中的检测限制使用优化的分析条件和使用专用仪器,可以实现SIMS的极低检出限。

QW中的DOPANT PROFILE

高深度分辨率SIMS可以揭示量子阱结构内的掺杂分布。 使用'PCOR-SIMSSM'实现最佳定量,该协议可在所有基质层中提供准确的定量。

QW中的DOPANT PROFILE高深度分辨率SIMS可以揭示量子阱结构中的掺杂分布。 使用'PCOR-SIMSSM'实现最佳定量,该协议可在所有基质层中提供准确的定量。

 

外壳过程监控 - 质量控制

DOPING PROFILES

SIMS深度剖面可用于监测反应堆的性能。 监测轮廓特征(例如浓度和厚度)可以是过程控制的有效方法。

掺杂剖面SIMS深度剖面可用于监测反应堆的性能。 监测轮廓特征(例如浓度和厚度)可以是过程控制的有效方法。

软件

EAG SIMSviewTM SIMS软件通常用于计算掺杂剂水平和层厚度。 我们可以根据您的规格定制和自动化计算。 快速评估数据,并将其与先前建立的基准进行比较。

EAG EMviewTM 软件允许您对SEM和TEM图像进行测量。 可以调整亮度,对比度和伽玛。 图像可以旋转和注释。

软件用于SIMS的EAG SIMSviewTM软件通常用于计算掺杂剂水平和层厚度。 我们可以根据您的规格定制和自动化计算。 快速评估数据,并将其与先前建立的基准进行比较。 EAG EMviewTM软件允许您对SEM和TEM图像进行测量。 可以调整亮度,对比度和伽玛。 图像可以旋转和注释。

额外服务

AlGaN – InGaN成分:RBS提高了精度。 LM-80:用于加速老化测试的许多环境。 蓝宝石,SiC和其他衬底:表面污染。 大量污染

 基于应力的测试

基于压力的鉴定方法为识别LED故障机制提供了广泛的方法,并且是一种强大的工具,可帮助工程师识别在LED使用条件范围内可能出现故障的设备。 热循环,偏置/湿度压力测试是许多产品经历的条件,并且测试条件旨在加速与现场条件相比的故障,以发现设备或封装组件的潜在问题和/或确定LED是否符合行业标准。

基于压力的资格认证方法(LED分析)

老化测试

老化测试是一种重要的技术,用于加速LED设备的压力,帮助您筛查婴儿死亡率并降低现场故障率。 我们的系列老化设备和专家团队可以通过出色的测试控制和监控支持一系列应用。 我们的内部工程团队可以设计定制解决方案以满足您的特定需求,并为最具挑战性的项目创建解决方案。 我们还拥有内部PCB设计来开发您的焊接板和夹具,使我们能够支持交钥匙工程并提供所需的所有相关硬件。

老化测试(LED分析)

 

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