飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是一种表面分析技术,可将脉冲的初级离子束聚焦到样品表面,在溅射过程中产生二次离子。 分析这些二次离子可提供有关表面上存在的分子,无机和元素种类的信息。 例如,如果存在有机污染物,例如吸附在表面的油,TOF-SIMS会显示此信息,而其他技术则可能不会,尤其是在非常低的水平下。 由于TOF-SIMS是一种测量技术,因此通常可以检测到元素周期表中的所有元素,包括H。 而且,这种分析可以提供质谱信息。 样品中XY方向的图像信息; 以及Z方向上的深度剖面信息进入样本。

TOF-SIMS智能图表

TOF-SIMS是 智能图表  这是一种非常表面敏感的技术,可提供完整的元素和分子分析并具有出色的检测限

表面灵敏度

TOF-SIMS的表面敏感性使其成为解决问题的良好第一步,可以概述样品中存在的物种类型。 然后可以使用其他技术来获得附加信息。 TOF-SIMS也是一种能够检测到比传统物种低得多的物种的技术 表面分析 诸如的技术 XPS.

EAG已提供 时间 - 飞行 二次离子质谱仪在商业上比任何其他公司都要长,我们的专业知识是首屈一指的。 这对于TOF-SIMS尤其重要,因为TOF-SIMS的数据集可能非常复杂,并且比其他方法可能需要更多的解释或数据处理。 TOF-SIMS的成像功能可以提供微米级缺陷和颗粒的元素和分子信息。 TOF-SIMS也可以用于深度剖析并补充动态SIMS。 剖析的优势在于其小区域功能以及无需选择特定关注元素即可进行调查深度剖面的能力。 最近,簇离子束能够对有机材料进行仿形,同时保持结构上重要的信息。

在EAG,我们使用TOF-SIMS帮助客户进行质量控制,故障分析,故障排除,过程监控以及研发。 例如,我们在研究晶圆表面污染问题时提供的信息可以帮助确定问题的具体来源,例如泵油或部件除气,或者它可能表明晶圆加工步骤本身存在问题(例如蚀刻残留物)。 我们确保您在整个过程中提供个人对个人服务,以便您充分了解测试结果及其含义。

TOF-SIMS的理想用途

  • 有机和无机材料的表面分析
  • 表面元素和分子的成像
  • 如果发生分层,起泡,除湿,染色,混浊等故障和根本原因分析
  • 调查深度剖析

我们的强项

  • 表面化合物的分子鉴定
  • 极高的灵敏度和低检测限
  • 以约0.2 µm的分辨率成像
  • 绝缘子和导体分析
  • 无损(静态模式)
  • 各种材料的调查深度剖析
  • 特定材料的定量表面覆盖率和浓度深度曲线
  • 在特定工具上: 整个晶圆可达200​​毫米
  • 使用氩气团簇离子束(GCIB)进行分子深度分析

限制

  • 首先,通常没有标准就无法定量
  • 其次,样品必须与真空兼容
  • 第三,在静态模式下,最外面的1-3个单层以下没有分子信息
  • 第四,样品包装和处理或先前分析产生的污染可能会影响结果的质量

TOF-SIMS技术规格

  • 检测到的信号:元素离子和分子离子
  • 检测到的元素:完整的元素周期表覆盖范围,以及分子种类
  • 检测限:单层的分数,107 - 1010 在/厘米2 (半导体上的金属),深度剖面中的体积浓度低至1 ppm
  • 深度分辨率:1-3个单层(静态模式),低至1 nm(深度剖析)
  • 信息深度:1 nm以下(静态模式),最大10μm(深度剖析)
  • 成像/制图:是的
  • 横向分辨率/探针尺寸:低至0.2 µm

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