全反射X射线荧光（TXRF）

全反射X射线荧光（TXRF）利用抛光晶片表面的极低角度X射线激发来获得表面金属污染物的浓度。

X射线束的入射角（通常为0.05-0.5°）低于基材的临界角，并将激发限制在样品的最外表面（约80Å，取决于材料）。 从样品发出的荧光信号是存在的元素污染物的特征。

TXRF是一种高度表面敏感的技术，专门用于分析半导体晶圆（如Si，SiC，GaAs或蓝宝石）上的表面金属污染。

TXRF的理想用途

• 半导体晶片上的金属表面污染

TXRF的优势

• 微量元素分析
• 调查分析
• 量
• 非破坏性
• 自动分析
• 整个晶圆分析（最高300 mm）
• 可以分析许多衬底，例如Si，SiC，GaAs，InP，蓝宝石，玻璃

限制

• 无法检测到低Z元素（在周期图上Na之下）
• 抛光表面需要最佳检测限

TXRF技术规格

• 检测到信号：晶圆表面发出的荧光X射线
• 检测到的元素：Na-U
• 检测限：10⁹ - 10¹² 在/厘米²
• 深度分辨率：30 – 80Å（采样深度）
• 成像/映射：可选
• 横向分辨率/探针尺寸：〜10毫米