二次离子质谱(SIMS)

二次离子质谱(SIMS)可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。 该技术提供了从几埃(A)到几十微米(μm)的宽深度范围内的元素深度分布。 用一束初级离子(通常是O)溅射/蚀刻样品表面2+ 或者Cs+在溅射过程中形成的二次离子被提取并使用质谱仪(四极,磁扇区或飞行时间)进行分析。二次离子的浓度范围可以从基质水平到亚ppm级的痕量水平。

EAG是SIMS分析的行业标准, 提供最佳的检测限以及准确的浓度和层结构识别。 EAG的经验深度和范围以及对SIMS领域研发的承诺无与伦比。 EAG拥有全球范围内种类最多的二次离子质谱仪(超过40台),并且配备了非常合格的科学家。 EAG还拥有世界上最大的离子注入和体掺杂标准物参考材料库,可进行准确的SIMS定量。

SIMS的理想用途

  • 掺杂和杂质深度剖析
  • 薄膜(金属,电介质,SiGe,III-V和II-VI材料)的成分和杂质测量
  • 浅层植入物和超薄薄膜的超高深度分辨率分析
  • 散装分析包括Si中的B,C,O和N.
  • 高精度匹配工艺工具,例如离子注入机或外延反应器

我们的强项

  • 以ppm或更低的检测灵敏度出色地检测掺杂剂和杂质
  • 深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率
  • 小面积分析(1-10 µm)
  • 检测所有元素和同位素,包括H.
  • 出色的动态范围(高达6数量级)
  • 在一些应用中可能的化学计量/组成

限制

  • 有害
  • 没有化​​学键合信息
  • 样品必须是固体和真空兼容的

SIMS技术规格

  • 检测到信号: 二次离子
  • 检测到的元素: HU包括同位素
  • 检测限: > 1E10至1E16原子/厘米3
  • 深度分辨率: > 5Å
  • 成像/制图:
  • 横向分辨率/探头尺寸: ≥10μm(深度剖析); 1μm(成像模式)

EAG的SIMS科学家经过特殊培训,并且善于理解客户的分析需求并优化分析以最有效地解决他们的关注和兴趣。 如今,SIMS分析可用于帮助各个行业的客户进行研发,质量控制,故障分析,故障排除和过程监控。 EAG在整个过程中都提供个性化服务,以使您能够全面了解SIMS实验室的测试结果。

SIMS教程:仪器

SIMS教程:理论

所选元素的SIMS检测限

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