二次离子质谱(SIMS)

二次离子质谱(SIMS)可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。 该技术提供了从几埃 (Å) 到几十微米 (µm) 的广泛深度范围内的元素深度剖面。 样品表面用一束初级离子(通常是 O2+ 或者Cs+) 而在溅射过程中形成的二次离子使用质谱仪(四极杆、扇形磁场或飞行时间)进行提取和分析。 次级离子的浓度范围可以从基质水平到亚 ppm 痕量水平。

EAG是SIMS分析的行业标准, 提供最佳检测限,以及准确的浓度和层结构识别。 EAG 在 SIMS 领域的经验和承诺的深度和范围是无与伦比的。 EAG 拥有全球范围最广的二次离子质谱仪(超过 40 种),由非常合格的科学家组成。 EAG 还拥有世界上最大的离子注入和体掺杂标准参考材料库,用于准确的 SIMS 量化。

SIMS的理想用途

  • 掺杂和杂质深度剖析
  • 薄膜(金属,电介质,SiGe,III-V和II-VI材料)的成分和杂质测量
  • 浅层植入物和超薄薄膜的超高深度分辨率分析
  • 批量分析,包括 Si 中的 B、C、O 和 N
  • 高精度匹配工艺工具,例如离子注入机或外延反应器

我们的强项

  • 以ppm或更低的检测灵敏度出色地检测掺杂剂和杂质
  • 深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率
  • 小面积分析(1-10 µm)
  • 检测所有元素和同位素,包括H.
  • 出色的动态范围(高达6数量级)
  • 在一些应用中可能的化学计量/组成

限制

  • 有害
  • 没有化​​学键合信息
  • 样品必须是固体和真空兼容的

SIMS技术规格

  • 检测到信号: 二次离子
  • 检测到的元素: HU包括同位素
  • 检测限: > 1E10至1E16原子/厘米3
  • 深度分辨率: > 5Å
  • 成像/制图:
  • 横向分辨率/探头尺寸: ≥10μm(深度剖析); 1μm(成像模式)

EAG 的 SIMS 科学家经过专门培训,擅长了解客户的分析需求并优化分析,以最有效地解决他们的顾虑和兴趣。 今天,SIMS 分析用于帮助各行各业的客户进行研发、质量控制、故障分析、故障排除和过程监控。 EAG 在整个过程中提供个性化服务,让您全面了解 SIMS 实验室测试结果。

SIMS教程:仪器

SIMS教程:理论

所选元素的SIMS检测限

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